繼GPU之后，AI引爆的投資焦點正順延至存儲芯片，掀起新一輪IPO熱潮。

1月6日晚間，紫光國芯（874451.NQ）公告表示，陜西證監局對該公司報送的向不特定合格投資者公開發行股票并在北京證券交易所上市輔導備案文件予以受理，該公司自2026年1月5日進入輔導期。

同樣在近日，國內最大的DRAM企業長鑫科技的科創板IPO申請已正式獲得受理，內存接口芯片企業瀾起科技（688008.SH）也已通過港股IPO聆訊，還有多家垂直細分領域的領軍企業正在排隊或已處于上市進程中。

DRAM Fabless廠商沖刺北交所

紫光國芯是國產DRAM設計的領先企業之一，其前身可追溯至2004年成立的德國英飛凌西安研發中心存儲器事業部。

該公司于2009年被浪潮集團收購并改制更名為西安華芯，后于2015年被紫光集團旗下紫光國微收購，更名為西安紫光國芯。在2023年完成股份制改制后，紫光國芯于2024年登陸新三板，并于2025年升入創新層。

紫光國芯開發的存儲器芯片產品覆蓋標準SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和移動用LPDDR、LPDDR2、LPDDR4，其中二十余款產品實現全球量產和銷售；存儲器模組產品包括服務器內存模組（RDIMM）、筆記本內存模組（SODIMM）和臺式機內存模組（UDIMM），四十余款模組產品實現全球量產和銷售。

在傳統存儲產品業務以外，該公司還開發出了三維堆疊DRAM（SeDRAM）技術，并開發了超大帶寬、超低功耗的堆疊大帶寬系列產品。開源證券指出，該產品結合了公司所掌握的DRAM芯片和邏輯芯片的設計技術優勢，為近存計算、人工智能、高性能計算等提供了創造性的存儲方案。

在DRAM存儲市場量價齊升的2025年，上半年紫光國芯實現營業收入7.5億元，較上年同期增長38.64%；歸屬掛牌公司股東的凈利潤568.3萬元，同比增長139.54%，實現扭虧為盈。

值得一提的是，不同于DRAM行業普遍采取的IDM模式，紫光國芯采用了Fabless模式。

但在NOR Flash等其他存儲芯片領域，Fabless模式較為常見。國金證券研究指出，在市場需求旺盛、行業競爭激烈情況下，Fabless更具靈活性。如在國際存儲器龍頭紛紛退出NOR Flash和SLC NAND中低端市場的背景下，在市場缺口競爭中，兆易創新憑借Fabless輕資產經營模式，市場占有率快速提升。

存儲芯片企業排隊IPO

不止紫光國芯，多家存儲芯片企業也正推進上市計劃。

國內最大的DRAM企業長鑫科技于2025年12月30日披露科創板上市招股說明書，其IPO申請已進入“預先審閱”流程。該公司在合肥、北京兩地共擁有3座12英寸DRAM晶圓廠，根據Omdia，按照產能和出貨量統計，其已成為中國第一、全球第四的DRAM廠商。

同樣在2025年12月，證監會官網披露，深圳三地一芯電子股份有限公司、深圳市時創意電子股份有限公司均在深圳證監局辦理上市輔導備案登記。前者專注于NAND Flash存儲控制芯片，后者產品及業務涵蓋嵌入式存儲、固態硬盤、內存模組及移動存儲。

還有存儲廠商將目光瞄準了港股。

1月5日，瀾起科技在港交所更新聆訊后資料集，代表該公司港交所IPO通過聆訊。該公司是全球僅有的三家能量產服務器內存接口芯片的企業之一。根據弗若斯特沙利文的資料，按收入計算，該公司在2024年位居全球最大的內存互連芯片供應商，市場份額達36.8%。

兆易創新（603986.SH）已于2025年12月31日至2026年1月8日啟動招股。該公司是國內少數在NOR Flash、SLC NAND、利基型DRAM和MCU四大領域均躋身全球前十的Fabless設計公司。

此外在2025年12月，浙江力積存儲科技股份有限公司在港交所更新招股書。該公司專注于利基DRAM市場，根據弗若斯特沙利文的資料，按2024年利基DRAM收入計，力積存儲在全球利基DRAM市場的中國內地公司中排名第四。

國產存儲突圍戰

但一直以來，全球DRAM競爭格局頗為集中，主要被三星、SK海力士和美光三大國際巨頭所壟斷。

國產DRAM廠商里，長鑫科技正逐步進入主要廠商陣營。根據Omdia，2024年三星電子、SK海力士、美光科技合計占全球DRAM市場90%以上的份額；若按25Q2的DRAM銷售額統計，長鑫科技的全球市場份額已增至3.97%。

除了規模壁壘，在高端產品性能方面，國產存儲與國際一線梯隊也存在差距。如在DRAM領域，三星、SK海力士已大規模量產DDR5，并積極布局DDR6及更先進的制程工藝，甚至在HBM（高帶寬內存）領域形成了暫時的壟斷。相比之下，國產DRAM目前的主力產品仍集中在DDR4及LPDDR4X等成熟制程。

而自2025年以來，存儲市場出現結構性變革。這一變革不僅重塑了國際巨頭的競爭版圖，更為蟄伏已久的國產存儲廠商提供了歷史性突圍窗口。

從傳統市場來看，盡管智能手機與PC等傳統市場需求受宏觀經濟影響增速有所放緩，但汽車電子、智能駕駛和物聯網設備對存儲芯片的需求正在快速增長，特別是車規級DRAM的需求明顯提升。

從新興市場看，AI服務器對高帶寬、大容量DRAM的需求迅速攀升，推動存儲芯片向高性能、低功耗、低延遲方向迭代升級。這種需求的碎片化和差異化，打破了以往國際原廠憑借標準品規模通吃的局面，迫使市場更加細分。

東方證券研究指出，目前國際領先DRAM企業已進入制程節點微縮瓶頸，新產品開發中面臨的成本巨幅增長與物理極限的逼近問題導致工藝難度大幅提升。基于此，DRAM廠商正積極嘗試4F2結構、CBA（CMOS directly Bondedo Array）等新技術解決方案。

在新技術領域的研發上，國內廠商與國際前三家廠商均處于探索階段，國內廠商有望通過產品與技術的革新逐步縮小與國際領先水平的差距，甚至實現部分技術與產品的彎道超車。