存儲芯片概念25日盤中再度走強，截至發稿，佰維存儲漲超12%，股價續創歷史新高；圣邦股份、協創數據等漲超10%，超穎電子、三孚股份漲停，江波龍漲近8%，德明利漲約7%亦創出新高。

佰維存儲24日晚間公告，公司與某存儲原廠簽訂日常經營性采購合同，公司同意按合同約定的數量、價格及時間向該供應商采購某款存儲晶圓，合同總承諾采購金額為15億美元，承諾采購期總計24個月。

公告稱，根據合同相關約定，公司每12個月內對該產品的采購量，占2025年公司NANDFlash采購總量的11.1%和2025年公司NANDFlash銷售總量的18.01%，占比均較小。公司簽訂合同提前鎖定未來24個月的部分基礎用量，與公司業務規模及業務規劃匹配，風險整體可控。

另據韓聯社日前報道，三星電子工會成員以93.1%的贊成率通過了集體斗爭行動議案，工會計劃于4月23日舉行集會，并在5月21日至6月7日舉行為期18天的全國總罷工。

中信證券指出，若罷工如期舉行，或將影響三星在韓國平澤半導體園區的芯片生產線，沖擊該園區DRAM、NAND閃存及HBM芯片的產能釋放。而產線一旦停產，想要復產需要重新檢測和啟動生產鏈的過程亦十分耗費時間和人力資源。2026年以來，在AI的強勁需求推動下，存儲芯片仍是供需偏緊的格局，價格不斷上漲。根據Omdia數據，2025年四季度三星電子在全球DRAM市場份額為36.6%，根據TrendForce數據，2025年四季度三星電子在全球NAND市場份額為28%，三星電子可能的停產風險或將進一步加劇全球存儲芯片市場的供應緊張。

該機構認為，存儲漲價和高景氣度有望貫穿2026年全年，而三星電子可能的總罷工行動對國內存儲大廠而言也是擴大市場、提升市占率的機會。近年來國內存儲大廠的產能建設與技術突破進展快速。國產3DNAND產品在2025年已實現232層閃存的量產并繼續往更高堆疊層數迭代。國產DRAM產品已實現主流第四代、第五代DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等的量產。國內存儲大廠的產能擴張及技術迭代有望在“十五五”時期加速，全球市占率有望持續提升。在存儲產品全球緊缺、產品價格和盈利能力不斷上行、國內廠商全球市場份額仍然較低、國內產業政策大力支持的背景下，看好存儲大廠擴產帶來的需求增量，材料及零部件端核心供應商的成長性及向上空間具有較強的確定性。