據韓聯社3月18日報道，三星電子工會成員以93.1%的贊成率通過了集體斗爭行動議案，工會計劃于4月23日舉行集會，并在5月21日至6月7日舉行為期18天的全國總罷工。

對此，中信證券指出，若罷工如期舉行，或將影響三星在韓國平澤半導體園區的芯片生產線，沖擊該園區DRAM、NAND閃存及HBM芯片的產能釋放。而產線一旦停產，想要復產需要重新檢測和啟動生產鏈的過程亦十分耗費時間和人力資源。2026年以來，在AI的強勁需求推動下，存儲芯片仍是供需偏緊的格局，價格不斷上漲。根據Omdia數據，2025年四季度三星電子在全球DRAM市場份額為36.6%，根據TrendForce數據，2025年四季度三星電子在全球NAND市場份額為28%，三星電子可能的停產風險或將進一步加劇全球存儲芯片市場的供應緊張。

該機構認為，存儲漲價和高景氣度有望貫穿2026年全年，而三星電子可能的總罷工行動對國內存儲大廠而言也是擴大市場、提升市占率的機會。近年來國內存儲大廠的產能建設與技術突破進展快速。國產3D NAND產品在2025年已實現232層閃存的量產并繼續往更高堆疊層數迭代。國產DRAM產品已實現主流第四代、第五代DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等的量產。國內存儲大廠的產能擴張及技術迭代有望在“十五五”時期加速，全球市占率有望持續提升。

在存儲產品全球緊缺、產品價格和盈利能力不斷上行、國內廠商全球市場份額仍然較低、國內產業政策大力支持的背景下，看好存儲大廠擴產帶來的需求增量，材料及零部件端核心供應商的成長性及向上空間具有較強的確定性。此外，從技術層面看，未來存儲器件的3D化將大幅提升晶圓制造工藝相關的半導體材料用量，薄膜沉積、CMP、刻蝕、電鍍等均是受益環節，耗材的用量將在制程進步和技術迭代下獲得額外的加成系數。看好國內存儲大廠成為半導體耗材重要的需求驅動力，重視產業鏈核心供應商。