全球存儲芯片產業鏈再傳利好催化。

當前，存儲芯片漲價潮正蔓延至封測環節。據最新消息，因產能利用率逼近極限，主要存儲封測大廠近期已將報價上調高達30%，并正在醞釀后續進一步提價。

受此影響，今日A股先進封裝指數盤中直線拉升，截至收盤，華峰測控大漲超7%，長電科技大漲超6%，華天科技漲超3%，深科技、富滿微漲超2%。

有機構分析稱，人工智能（AI）仍是2026年市場的確定性主線之一，投資者正密切關注高端封測領域，測試成本攀升或將為測試供應商帶來估值重估機會。

漲價30%

1月12日消息，中國臺灣經濟日報報道，受益于DRAM（動態隨機存取存儲器，即內存）與NAND Flash（閃存，即硬盤存儲）大廠全力沖刺出貨，力成、華東、南茂等頭部封測廠商訂單蜂擁而至，多家廠商證實“訂單真的太滿”，現有產能已無法滿足需求。為應對成本與供需失衡，各家廠商已正式啟動首輪漲價，漲幅直逼30%，且這股漲價潮預計將從一季度起直接體現在財報業績中。

面對持續涌入的訂單，廠商態度轉趨強硬。相關企業透露，若供需緊張態勢持續，不排除短期內啟動第二波漲價。與此同時，南茂等廠商因僅能滿足約八成客戶訂單，正緊急向外采購設備以擴充產能。市場分析指出，隨著各大存儲原廠將資源集中于先進工藝，標準型產品供給受擠壓，這將推升封測端議價能力。

另據韓媒報道，近期全球存儲芯片價格持續攀升，美國科技巨頭谷歌、微軟已緊急派遣采購團隊飛赴韓國首爾，意在從三星電子、SK海力士手中爭取緊缺的DRAM芯片供貨。報道提及，韓國板橋與平澤地區的酒店已被此類求購芯片人員的團隊擠滿。

報道引述價格數據顯示，8GB DDR4內存平均價格已從去年1月的1.40美元，上漲至12月的9.30美元。此次采購行動的核心目標被視為在價格進一步走高前鎖定關鍵貨源。

有分析指出，造成此次封測產能緊缺的核心原因，在于上游晶片原廠的策略重心轉移。

隨著三星電子、SK海力士及美光科技三大巨頭全力擴充AI專用的HBM（高帶寬內存）產能，其資源高度集中于先進及封裝制程，導致標準型DRAM與NAND晶片的產出受到同步排擠，舊規格產品供給迅速轉趨吃緊。

需求端方面，伴隨云端與工控市場需求回溫，DDR4、DDR5與NAND晶片的拉貨動能強勁，進一步點燃了后段封測需求。這種供需錯配使得主要封測廠產能利用率飆升，為漲價提供了堅實基礎。

目前，中國臺灣主要封測廠均處于滿負荷運轉狀態。對于漲價議題，上述廠商均表示將依照市場需求進行彈性調整。

高盛：AI仍是確定性主線

針對科技板塊的投資邏輯，高盛發布的買方調研報告顯示，AI仍是2026年市場的確定性主線之一，而非AI板塊關注度持續低迷。投資者正密切關注Google TPU供應鏈及高端封測領域，特別是半導體測試環節正迎來“結構性美元含量增長”。

高盛指出，隨著芯片復雜度提升，測試成本攀升將為穎崴科技（WinWay）與旺矽科技（MPI）等測試供應商帶來估值重估機會。盡管市場對CoWoS設備板塊如家登精密、辛耘股份存在短期情緒波動，但長期來看，先進封裝仍具備堅實的結構性需求。

面對由AI浪潮不斷推升的全球需求，主要芯片制造商正在擴充產能。美光科技宣布，其在美國紐約州總投資約1000億美元的巨型晶圓廠項目將于1月16日破土動工。

美光科技稱，該項目旨在打造全球最先進的存儲半導體制造中心，以應對AI系統日益增長的需求。該項目包含多達四座工廠，預計到2045年第四家工廠建成時，將創造9000個工作崗位。

該項目的建設曾因環境評估審查而較原計劃有所延遲，首座晶圓廠計劃于2030年投產，第二座工廠預計在2033年上線，第四座工廠則規劃在2045年前后完成。

美光移動與客戶端業務部門市場副總裁 Christopher Moore 表示，由于晶圓廠擴建周期漫長、認證流程復雜，存儲器供應緊張的問題在2028年前難以明顯改善。

市場調研機構Counterpoint Research顯示，2025年第三季度，美光在全球HBM市場的營收份額為21%，位列SK海力士、三星電子之后，排名第三；DRAM整體市場份額為26%，若其市場份額能提升至40%，有望躍居全球首位。

排版：汪云鵬

校對：陶謙